News - Technologies, procédés, découvertes, actualites

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Message non lupar super_newbie_pro » 15 juil. 2013, 15:59

Le graphène pourra accélérer internet

Capteurs photos plus sensibles, dissipateurs pour processeurs plus efficaces, batteries plus performantes, mémoires plus rapides, transistors à ultra haute fréquence, etc. on ne compte plus les avancées technologiques qui seraient possibles grâce au graphène. Peu sont pour l'instant sorties des labos où elles ont été inventées, mais cela ne décourage pas les chercheurs. A l'Université de Bath (Royaume-Uni), une équipe a découvert que le graphène pourrait accélérer les transmissions électroniques par un facteur 100.

Plus exactement, le graphène permettrait d'accélérer les convertisseurs optoélectroniques présents dans tous les équipements réseau utilisant de la fibre optique. Un convertisseur classique a un temps de réponse de quelques picosecondes (10-12 s), un convertisseur employant quelques couches de graphène a un temps de réponse d'une centaine de femtosecondes (10-15 s) seulement, soit presque 100 fois moins.

Les chercheurs ne se risquent toutefois pas à donner une date à laquelle leur découverte pourrait être appliquée dans des produits commerciaux. Source : http://www.tomshardware.fr/articles/gra ... 38140.html
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Message non lupar super_newbie_pro » 15 juil. 2013, 16:06

Les batteries en bois peuvent offrir jusqu'à six jours d'autonomie aux smartphones

Ce n'est pas parce que les batteries Lithium-Ion pullulent dans nos équipements mobiles, qu'il n'existe pas de solutions alternatives. A ce propos, la recherche vient d'en trouver une nouvelle, un poil plus éco-responsable.

Pour générer assez d'énergie pour alimenter nos smartphones, tablettes et autres pc portables, il n'y a pas des milliers de solutions : nous sommes pour le moment cantonnés aux batteries NiMh à effet mémoire, ou à leur alter égo lithium-ion (Li-ion). Toutefois, la recherche continue sa quête d'une alternative, et cette dernière pourrait bien prendre la forme ... d'un arbre.

En effet, des équipes de chercheurs de l'Université du Maryland viennent de mettre au point une nouvelle génération de batteries composées d'accumulateurs à base de sodium-ion couplés à de la fibre de cellulose. Pour la petite histoire, nos fiers ingénieurs ont d'abord travaillé sur un premier modèle uniquement à base de sodium. Ils ont été cependant rapidement confrontés à un problème de sodiation, qui provoque la fusion du sodium avec les molécules présentes dans la pile autour de l'anode et de la cathode. Un phénomène qui limitait le prototype à 20 cycles de charge tout au plus.

Fibre de cellulose batterie recherche juillet 2013 2 Fibre de cellulose batterie recherche juillet 2013 1
La fibre de bois grossie plusieurs fois jusqu'à la fibre de cellulose

C'est là que dame nature intervient, et offre son procédé de photosynthèse pour stabiliser cette sodiation. Une feuille de fibre de cellulose de 10 nm d'épaisseur est alors judicieusement placée à l'intérieur pour faire monter le nombre de cycles de charge à 400. Si c'est un peu moins que ce que proposent les batteries actuelles, les résultats de recherche indiquent cependant tenir une capacité 339 mAh par gramme. Par rapport à une batterie standard de 33 grammes et de 1800 mAh, cet accumulateur en bois proposerait donc 11.187 mAh, soit six fois plus.

Une autonomie de six jours sur un smartphone

Image Image

Avec une autonomie moyenne d'une journée avec un smartphone sur lithium-ion, ces nouvelles batteries pourraient donc offrir près de six jours d'autonomie. Il se pose tout de même deux questions : quel est l'impact sur l'exploitation des ressources et qu'en est-il de la faisabilité technique du procédé ?

A la première question, Liangbing Hu et Teng Li, tout deux chercheurs sur ce projet, indiquent que le sodium est trouvable en grande quantité dans les océans. En revanche, la fibre de cellulose l'est un peu moins, même si le recyclage du papier pourrait apporter la ressource nécessaire à la fabrication de ces accumulateurs. Concernant la deuxième question, l'insertion de la fibre de 10 nm dans le nano tube de carbone est particulièrement complexe et il faudra donc encore quelques années d'études supplémentaires pour mettre au point une technique industrielle. Source : http://www.pcworld.fr/high-tech/actuali ... 0163,1.htm
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Message non lupar super_newbie_pro » 16 juil. 2013, 18:24

Micron annonce la mémoire Flash en 16 nm

Micron vient de passer un nouveau cap dans la production de mémoire Flash. L'américain dit avoir débuté la production de Flash gravée en 16 nm, soit non seulement la mémoire Flash la plus fine de l'industrie, mais aussi la finesse la plus grande pour un semiconducteur produit à grande échelle.

Pas question toutefois d'attendre cette mémoire pour changer son SSD : les premiers SSD Micron l'utilisant (les Crucial M600 ?) ne devraient arriver en boutique que l'année prochaine. Micron indique en être au stade de la livraison d'échantillons à ses clients pour test et intégration dans leurs futurs produits. La fabrication de masse est prévue pour débuter au quatrième trimestre de cette année.

Remarquons que contrairement au passage en 20 nm, le passage en 16 nm ne permet pas à Micron d'introduire des puces de plus forte capacité. Avec le 20 nm, Micron avait pu lancer des puces de 128 Gbit, doublant ainsi la capacité maximale disponible avec les gravures précédentes. Le 16 nm permet d'augmenter la densité des puces (à capacité égale, elles occupent une surface inférieure). Source : http://www.tomshardware.fr/articles/mic ... 45335.html
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Message non lupar super_newbie_pro » 27 août 2013, 21:54

Les disques dur de 5To chez Western Digital sont prévus pour Décembre 2013.
Deux modèles sont prévus : red (WD50ERFX) et Green (WD50EZRX) Source: techpower
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Message non lupar super_newbie_pro » 14 sept. 2013, 18:48

Pas de transistors en graphène chez Intel avant 2020

Le nouveau P.D.G d’Intel, Brian Krzanich, a fait savoir que la firme travaillait sur les transistors en graphène et qu’elle avait fait de grands progrès, mais qu’une commercialisation n’est pas envisageable avant 2020, selon les propos recueillis par FudZilla. On remarque qu’ils arriveront donc après le 7 nm d’Intel qui devrait être mis sur le marché en 2018.

Pour mémoire, le graphène est très prometteur et les transistors en graphène ont des performances qui font rêver (cf. « Avancée majeure : IBM signe le premier die en graphène »). Le problème est qu’ils sont pour l’instant très difficiles à fabriquer et que personne n’a dépassé le stade des designs de laboratoire. Il n’y a rien de commercialement viable pour le moment.

Sources : http://www.tomshardware.fr/articles/gra ... 45718.html / http://www.fudzilla.com/home/item/32460 ... l-far-away

*******************
Le 10 nm en 2015 et le 7 nm en 2017, selon Intel

Selon la roadmap d’Intel, les puces en 10 nm seraient fabriquées en 2015 pour une commercialisation en 2016 et le 7 nm serait prêt en 2017 pour une mise sur le marché en 2018. La firme continuerait donc son cycle Tick-Tock comme elle le fait depuis 2006. Les processeurs en 10 nm sont pour l’instant connus sous le nom de code Cannonlake.

Image

L’EUV pour le 7 nm ?

Il est possible que le 7 nm marque l’utilisation d’ultraviolet extrême (EUV) au lieu d’un processus lithographique classique à laser à argon. Il y a encore de nombreux défis à relever
Source : http://www.tomshardware.fr/articles/7-n ... 45717.html
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Message non lupar super_newbie_pro » 12 déc. 2013, 00:58

Nvidia MAXWELL ; Mars 2014

La nouvelle architecture graphique de nvidia, MAXWELL, devrait arriver à partir de Mars 2014. Si, en théorie, on doit s'attendre à un rapport performance/watt 3x plus efficace que celui de Kepler (GTX 6xxx et 7xx), nous ne savons rien de ce qu'il en sera dans les jeux. De même, la grande question est ; 28nm (comme actuellement et depuis plus de 2ans) ou ENFIN du 20nm ? A suivre...
Source : http://www.fudzilla.com/home/item/33362 ... march-2014
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Message non lupar super_newbie_pro » 17 janv. 2014, 10:01

Intel retarde l'ouverture de sa Fab 42 qui gravera directement du 10nm !

Intel vient d’annoncer qu’il allait retarder l’ouverture de sa nouvelle usine Fab 42 en Arizona (cf. « Fab 42 : la nouvelle usine d’Intel à 5 milliards $ »). Elle était censée graver en 14 nm (cf. « Le 14 nm prévu en 2013 chez Intel »), mais le fondeur a finalement décidé d’attendre et de la passer directement au 10 nm.

Les critiques y voient un signe qu’Intel souffre de la pression exercée par ARM sur le marché mobile. Le fondeur s’en défend et explique simplement que ses usines en 14 nm fonctionnent à 80 % de leurs capacités et qu’il n’a pas besoin de dépenser de l’argent pour en ouvrir une nouvelle. La question est néanmoins de savoir s’il produit moins de puces en 14 nm que prévu à cause d’ARM et si ce retard dans l’ouverture de son usine n’est pas un signe de son déclin.

Source : http://www.tomshardware.fr/articles/fab ... 46689.html
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Message non lupar super_newbie_pro » 19 janv. 2014, 01:52

Les transistors FinFET en 16 nm chez TSMC, c'est pour 2014

TSMC a annoncé qu’il allait commencer la production en masse de transistors en 3D (FinFET) gravés en 16 nm d’ici la fin de l’année, tandis qu’il devrait accroître le nombre de chaînes de production fabricant en 20 nm en attendant.

Le fondeur a expliqué que ses prototypes en 16 nm sont meilleurs que prévu, ce qui devrait accélérer la production en masse de ces transistors. Pour mémoire, Intel fut le premier à les produire en masse (cf. « Tri-Gate : Intel invente le transistor 3D ») et les commercialiser (cf. « Test Ivy Bridge Intel Core i7–3770K : un bon cru ? »), ce qui fut un succès important pour la société (cf. « Les tops de 2012 »). On s’attendait à ce que TSMC puisse en produire à grande échelle dans un an (cf. « Pas de transistors 3D pour TSMC avant 2015 »).

http://www.tomshardware.fr/articles/tsm ... 46696.html
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Message non lupar super_newbie_pro » 27 janv. 2014, 13:59

TSMC a commencé à produire des puces en 20 nm

Alors que les CPU Intel Broadwell en 14 nm sont attendus dans les mois qui viennent, TSMC entame lui la gravure en masse des puces en 20 nm.

Première fonderie indépendante mondiale, TSMC annonce que la gravure en masse de puces à une finesse de 20 nm a débuté sur certaines de ses lignes de production (au sein des Fab 12 et 14), avec un mois d'avance. Mais il reste pour l'instant impossible de savoir quelles sont précisément les puces actuellement gravées par TSMC sur ce processus. Réduire la finesse de gravure des puces et augmenter la densité de transistors devrait bien sûr permettre de proposer des processeurs plus performants et moins gourmands en énergie. Et TSMC ne manque pas d'ambition sur le 20 nm, indiquant que cette finesse de gravure devrait compter pour 10% de ses revenus en 2014.
L'EUV pas obligatoire

Le fondeur taïwanais en a aussi profité pour évoquer les autres process de gravure. Côté 16 nm FinFET, il indique que les gains obtenus par ce process seront de l'ordre de 15%. Pour la suite, qui devrait consister au 10 nm, TSMC précise que l'utilisation de process de gravure EUV (photolithographie Extreme Ultra-Violet) ne sera pas obligatoire, et que des solutions sont mises au point pour pouvoir s'en passer, même si pour le moment ces solutions promettent d'être plus onéreuses.

Enfin, en termes de performance par transistor, TSMC indique qu'elle progressera d'environ 20% dans le cadre du passage du 28 nm HPM au 20 nm SoC, et de 30% encore lors du passage au 16 nm FinFET (initialement attendu pour 2015...).
Source: http://www.pcworld.fr/processeur/actual ... 5783,1.htm
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Message non lupar super_newbie_pro » 11 mars 2014, 09:28

Intel repousse les wafers de 450 mm à 2023
Intel a annoncé lors de la SPIE Advanced Technology Conference qu’il repoussait l’utilisation des wafers de 450 mm à 2023 et vu qu’il est l’un des fervents défenseurs de cette technologie, le reste de l’industrie devrait lui emboiter le pas, selon SemiWiki. Les équipementiers auraient déjà décidé de retarder le développement des machines compatibles avec ces wafers en réponse à cette annonce.

La raison derrière la décision d’Intel serait le faible taux d’utilisation de certaines de ses usines, ce qui l’a déjà obligé à retarder l’ouverture de la Fab 42. La firme passe par une période difficile et elle a de plus en plus de mal à justifier ce genre d’investissement.


Source : http://www.tomshardware.fr/articles/450 ... 47082.html
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Message non lupar super_newbie_pro » 04 avr. 2014, 17:23

Samsung trouve un moyen de fabriquer du graphène à grande échelle

Le graphène est un matériau miracle pour l'électronique. Il est 100 fois meilleur conducteur que le silicium et a permis la réalisation de transistors ultrarapides. Il possède en plus des dizaines d'autres applications potentielles grâce à ses excellentes propriétés mécaniques. Mais son potentiel n'a pour l'instant pas pu être exploité, car le graphène n'est pas un matériau naturel et il est impossible d'en synthétiser en grande quantité. Le Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT), et l'université de Sungkyunkwan University auraient enfin trouvé une solution à ce problème.

Les chercheurs ont mis au point une méthode pour synthétiser un monocristal de graphène de la taille d'un wafer. C'est la toute première fois que ceci est réalisé. Auparavant, on ne savait créer des grandes surfaces que multicristal. Les ruptures dans la structure cristalline aux jonctions entre les cristaux dégradaient les propriétés mécaniques et électriques du matériau.

La technique employée comprend deux étapes. D'abord, des germes de graphène sont déposés sur une surface de germanium, dont la structure symétrique permet l'alignement de tous germes de graphène dans une unique direction. La croissancedes différents germes résulte alors en un monocristal de graphène. Celui-ci peut alors être transféré sur un wafer en silicium et le substrat en germanium réutilisé.

Image

Samsung peut donc dorénavant envisager la commercialisation du graphène. Le groupe ne se risque pas toutefois à donner un calendrier.

Source : http://www.tomshardware.fr/articles/syn ... 47318.html
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Message non lupar super_newbie_pro » 28 juil. 2014, 09:49

AMD ; pas de 20nm pour ses CPU / GPU avant 2015...

Ils vont donc se retrouver avec du 20nm face à intel qui sera sur du 14nm... La bataille s'annonce bien illégale... :dubitatif:

Source : http://www.xbitlabs.com/news/graphics/d ... _Year.html
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Message non lupar super_newbie_pro » 20 oct. 2014, 11:12

Le 16nm pour la seconde moitié de 2015
C'est parti pour la production du 16nm... Sauf que les lignes de production sont principalement occupées par les SoC mobiles... AMD et Nvidia doivent batailler pour tenter d'avoir une place...C'est parti pour la production du 16nm... Sauf que les lignes de production sont principalement occupées par les SoC mobiles... AMD et Nvidia doivent batailler pour tenter d'avoir une place... Pour rappel intel débarquera avec son 14nm dans nos pc avec ses processeurs Broadwell et skylake en 2015.

Source ; http://www.fudzilla.com/home/item/36064 ... in-2h-2015
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Message non lupar super_newbie_pro » 18 nov. 2014, 13:53

Le 20 nm ne verrait pas le jour chez NVIDIA et AMD

NVIDIA et AMD auraient finalement renoncé à utiliser des puces gravées en 20 nm dans leurs futures cartes graphiques. La faute à un processus trop coûteux et pas rentable.

La gravure 20 nm était attendue pour la fin 2013, puis le début 2014 avant d'être récemment repoussé à 2015 par Lisa Su, alors vice-présidente d'AMD (elle est désormais PDG du groupe, depuis le 9 octobre dernier. Voir Lisa Su prend la tête d'AMD). Finalement, cette gravure en 20 nm ne verra peut-être jamais le jour. C'est en tous cas ce que croit savoir Fudzilla.

D'après le site, NVIDIA et AMD seraient découragés par le rendement trop faible du procédé, qui serait à l'origine d'une trop grande déperdition au niveau des puces générées.

Les deux constructeurs sauteraient donc une étape pour passer directement à la gravure 16 nm FiNFET (pour Fin-Shaped Field Effect Transistor), censée minimiser les problèmes des fuites de courant, et réduire la surface occupée par les transistors. Cette technologie ne sera utilisée que durant l'année 2016, au mieux.

Est-ce à dire que l'année 2015 connaîtra une absence totale d'innovation de la part des deux concurrents ? Pas forcément. NVIDIA a montré avec Maxwell qu'il était possible d'optimiser encore le procédé en 28 nm.
Source ; http://www.clubic.com/carte-graphique/a ... a-amd.html
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Message non lupar super_newbie_pro » 19 déc. 2014, 13:36

Globalfoundries produira en masse en 14 nm en 2015

Lors d’une interview accordée à DigiTimes, Chuck Fox, vice-président de Globalfoundries, a fait savoir que ses usines allaient commencer à fabriquer en masse en 14 nm durant la première moitié de 2015. Il fabriquera d’abord des puces basse consommation aux performances modestes, puisqu’elles ont de meilleurs rendements. Durant le second semestre 2015, il fabriquera des puces basse consommation plus performante. Il a aussi affirmé que l’accord qu’il a passé cette année avec Samsung lui a permis de passer au 14 nm plus rapidement. Le Coréen a adopté un calendrier assez similaire.

Pour mémoire, TSMC fabriquera en masse en 16 nm en juillet 2015 (cf. « Le 16 nm validé chez TSMC ») et il s’attend à ce que le 20 nm décolle au cours de l’année prochaine. Globalfoundries a aussi expliqué que son 14 nm utiliserait certains équipements rachetés lors de l‘acquisition des usines d’IBM. Des rumeurs affirment qu'il fabriquerait des SoC pour Apple l’an prochain.

Source ; http://digitimes.com/news/a20141215PD202.html via http://www.tomshardware.fr/articles/glo ... 55122.html
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Message non lupar super_newbie_pro » 27 janv. 2015, 12:33

Intel Cannonlake 10nm pour 2016

Honnêtement, vu la roadmap actuelle de sortie des skylake, on pense plus sérieusement à 2017 pour Cannonlake.

A lire en anglais : http://wccftech.com/intels-cannonlake-1 ... point-pch/
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Message non lupar super_newbie_pro » 27 janv. 2015, 18:57

AMD 14nm pour 2016 ...

Le site Sweclockers.com, traduit par WCCFTech, a révélé de nouveaux détails sur l’architecture Zen d’AMD qui est attendue pour 2016 et qui devrait servir de remplacement au core Bulldozer. Zen devrait donner naissance à une nouvelle famille de processeurs répondant au nom de code Summit Ridge. Il devrait être gravé en 14 nm, avoir jusqu’à huit cores et disposer d’un TDP maximum de 95 W dans un premier temps. Il devrait aussi embarquer un contrôleur DDR4 ainsi qu’un chipset offrant des lignes PCI-Express 3.0. Il devrait donc utiliser un nouveau Socket qui est pour l’instant connu sous le nom de FM3.


http://www.tomshardware.fr/articles/zen ... 55377.html
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Message non lupar super_newbie_pro » 02 févr. 2015, 14:27

Broadwell-E en 14nm en vue

Cette année va être un sacré bordel chez Intel en matière de processeurs. On retrouvera dès le milieu du second trimestre des puces Broadwell au format LGA et avec TDP de 65W mais débloquées des coefs, ainsi qu'au format BGA soudé sur des puces de 28 et 15W sur le segment des processeurs pour portables de la famille U. Mais au Q3 2015, Skylake S sera lancé, théoriquement sur LGA1151 et en 14nm, avec des processeurs de 95W, 65W et 35W, donc LGA, incluant des versions k à coefficients débloqués. On peut donc voir que les vrais successeurs de Devil's Canyon seront des Skylake, mais ils vont avoir un gros défaut pour ceux qui sont sous Haswell : faudra changer de carte mère, ou rester finalement sur sa bécane qui suffit déjà beaucoup. Pour ceux qui ne sont pas équipés récemment, la chose mérite réflexion.

Image

On sait également que Skylake gèrera DDR3 et DDR4 via un contrôleur à deux casquettes, Thunderbolt 3 pour les modèles Alpine Ridge, le Sata Express natif qui devrait ne pas révolutionner la chose dans un registre très différent du NVMe, bref on espère que l'IPC sera suffisamment évoluée et améliorée pour justifier un changement de plateforme au prix fort. En 2016 AMD aussi devrait se réveiller, et il sera en confrontation encore avec Skylake dont la durée de vie devrait l'amener au moins en 2016. (Source VRZ Chine)
source http://www.comptoir-hardware.com/actus/ ... -2015.html
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Message non lupar super_newbie_pro » 23 févr. 2015, 22:11

Intel voit après le 10 nm

Comme de coutume, Intel a pris part à l'édition 2015 de l'International Solid-State Conference (ISSCC) et y a parlé du futur. Le leader des processeurs a notamment discuté des problèmes qu'il a rencontrés pendant la mise au point de la gravure en 14 nm et des deux prochains "noeuds" : le 10 nm puis le 7 nm.

Selon Intel, le retard de ses processeurs 14 nm est dû à une complexité imprévue des étapes de masquages et à un plus grand besoin de tests au cours de la fabrication. Le fondeur a donc dû adapter ses processus et dédier plus de ressources à la validation des wafers après chaque étape de la gravure. Ces optimisations ont eu un impact négatif sur le 14 nm, mais Intel estime qu'elles lui feront gagner du temps pour le 10 nm. La mise au point des puces en 10 nm devrait être 50 % plus rapide que celles en 14 nm. De plus, les optimisations du processus de fabrication devraient permettre de faire baisser le coût par transistor, malgré l'augmentation du nombre d'étapes de masquages exigées par le 10 nm. Intel parviendrait ainsi à éviter le recours à des techniques de gravure très onéreuses, comme la lithographie dans l’extrême ultraviolet (EUV).

Le noeud 7 nm sera nettement plus difficile à atteindre. Intel envisage de nouvelles solutions techniques comme l'intégration de semi-conducteur III-V en remplacement du silicium. Et pour augmenter la densité des puces même dans l'éventualité où Intel échoue à augmenter la finesse de gravure, le fondeur travaille sur des méthodes alternatives : les puces 2,5 D où plusieurs dies sont connectés via un intercalaire en silicium et les puces 3D, où plusieurs dies sont empilés les uns sur les autres.

En 2008, alors qu'il produisait encore des Core 2 et se préparait à lancer les premiers Core i7 Nehalem en 45 nm, Intel se donnait 10 ans pour descendre en 10 nm. Sauf accident de dernière minute, cette prédiction devrait se réaliser.

Source ; http://www.tomshardware.fr/articles/int ... 55569.html
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Message non lupar super_newbie_pro » 23 avr. 2015, 10:33

TSMC : le 10nm finalement plus tôt que prévu

Selon les propos de Morris Chang, président de TSMC, rapportés par le site Digitimes, le fondeur débuterait la production de masse des puces gravées en 10nm dès la mi-2016. Auparavant, il était question d'un début de cette étape pour la fin de l'année 2016. Cette bonne nouvelle serait en fait permise par la conversion en 10nm de l'usine Fab 15. La transformation devrait se dérouler en juin prochain pour permettre à l'usine de sortir des wafers de 12 pouces.

Le node 10nm serait utilisé, selon TSMC, pour la gravure de nombreuses puces : des CPU aux GPU en passant par les SoC mobiles ou ceux destinés aux infrastructures réseau. Si la production de masse se concrétise pour la mi-2016, ça serait une mauvaise nouvelle pour le fondeur américain. Selon les dernières rumeurs, le 10nm pourrait avoir été repoussé d'un an pour Intel, avec une arrivée commerciale prévue pour 2017. Le combat pour le 10nm devrait donc être serré entre les deux géants. Samsung, qui avait montré une puce 10nm en février, devrait proposer une gravure 10nm à peu près en même temps que les deux autres concurrents.

Source ; http://www.tomshardware.fr/articles/tsm ... 56072.html
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