News - Technologies, procédés, découvertes, actualites

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Message non lupar super_newbie_pro » 28 mars 2012, 08:39

De bonnes nouvelles pour le graphène ; http://www.eurekalert.org/pub_releases/ ... 031512.php
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Message non lupar super_newbie_pro » 27 mai 2012, 15:49

Des chercheurs britanniques pensent avoir mis au point une mémoire cent fois plus rapide que la NAND Flash.

ReRAM_photo_UCL-001La RAM résistive, ou ReRAM, consiste en des puces composées d'oxyde de métal qui disposent d'une propriété résistive et changent d'état en fonction de la tension appliquée sur celles-ci. Cette valeur résistive induite est enregistrée même si la tension n'y est plus appliquée, par exemple dans le cas d'une mise hors tension du système.

D'après les chercheurs de l'UCL, University College of London, ces puces ReRAM promettent également d'offrir beaucoup plus d'espace de stockage que les puces NAND Flash actuellement utilisées, tout en consommant moins d'énergie et en étant plus petites. Une récente publication dans le "Journal of Applied Physics" explique ainsi que la nouvelle structure composée d'oxyde de Silicium répond mieux au changement fréquent de la tension qui induit la valeur résistive de la cellule qu'avec les anciens matériaux utilisés.
La mémoire du futur

Au sein de la cellule, les atomes de carbone s'alignent pour former des filaments qui sont plus ou moins résistifs, ainsi le nombre de filaments permet de passer d'un état 1 à un état 0 très rapidement. L'UCL va plus loin dans sa présentation en indiquant que ce nouveau matériau développé pour ces puces est potentiellement moins cher à produire, plus robuste dans le temps et pourrait même être assez fin pour fabriquer des puces quasi-transparentes.

"Nos puces ReRAM ne nécessitent qu'un centième de l'énergie et sont cent fois plus rapides que les puces NAND Flash standards", annonce Dr Tony Kenyon, ingénieur à l'UCL au département Electronique et Electrique. Ces recherches se rapprochent de celles d'HP sur les Memristors, qui sont basées sur du dioxyde de Titane et disposeraient des mêmes propriétés que la ReRAM. Cette nouvelle approche par l'oxyde de Silicium permettrait d'intégrer des puces de stockage bien plus facilement à des puces de traitement, comme des processeurs, pour réaliser des puces hybrides avec une base de stockage ultrarapide pour du cache de grande taille et une couche supérieure pour les transistors du CPU par exemple.

De plus, un autre ingénieur de l'UCL, Adnan Mehonic explique que "Le potentiel de ce nouveau matériau est énorme. Pendant nos phases de test, nous nous sommes aperçus qu'il était possible de programmer des puces à plus de deux états de conductivité", ce qui pourrait également rejoindre d'autres recherches plus avancées encore.
Source ; http://www.pcworld.fr/2012/05/23/materi ... de/527981/
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Message non lupar super_newbie_pro » 27 mai 2012, 15:51

Intel pense déjà au 10 et 7nm !

(...) Intel a aussi annoncé qu’il allait augmenter ses investissements dans ses usines et machines. Il compte dépenser 16,2 milliards de dollars (env. 11,4 milliards d’euros) cette année au lieu de 15,7 milliards de dollars précédemment (env. 11 milliards d’euros). Ces fonds seront utilisés pour mettre à jour les fonderies pour pouvoir graver en 14 nm et commencer à préparer le 10 nm et le 7 nm. Pour mémoire, les Sandy Bridge commercialisés aujourd’hui sont gravés en 32 nm et Intel devrait sortir ses premiers processeurs en 22 nm au deuxième trimestre de l’année prochaine (cf. « Ivy Bridge retardé à avril 2012 »). Intel a promis qu’il rentrerait « bientôt » dans le « cycle d’achat » d’équipements nécessaires pour graver en 14 nm et il garantit que le 22 nm est en bonne voie.

Intel va aussi investir un demi-milliard de dollars (env. 350 millions d’euros) dans des recherches portant sur des processeurs x86 pouvant rivaliser avec ARM sur les tablettes et les ordinateurs ultras fins, un marché que l’Anglais espère commencer à pénétrer en 2015. Il devrait s’étaler plus longuement sur ce sujet lors de l’Intel Developper Forum qui se tiendra en septembre. Source ; http://www.presence-pc.com/actualite/Atom-44404/

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Message non lupar super_newbie_pro » 11 juil. 2012, 13:08

De belles perspectives pour le 20nm, rdv en 2014
Le 20nm de TSMC permettra de produire des puces 30% plus performantes, ayant une densité 1,9 fois plus importante, et une consommation électrique en baisse de 25%. La production commencera, sauf retards, au 4ème trimestre 2013 pour une disponibilité des premières cartes graphiques utilisant des processeurs graphiques gravés avec cette finesse de gravure en milieu d'année 2014 voire fin 2014.
Source ; http://www.semiwiki.com/forum/content/1 ... pdate.html

Par contre il est intéressant de regarder ce graph provenant de nvidia qui montra la chute des prix sur les nouvelles finesses de gravure :

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Message non lupar super_newbie_pro » 16 juil. 2012, 13:37

Les fabricants déclarent pouvoir graver sous les 20nm

Applied Materials, equipment maker for the semiconductor, flat panel display and photovoltaic markets, has announced a new manufacturing technique which it claims will enable chipmakers to build interconnects far smaller than the current 20nm limit.

Announced at the Semicon West event late yesterday, Applied Materials' Endura Amber system promises to shrink copper interconnects in semiconductors to 10nm or less - a critical step in keeping Moore's Law alive and dropping feature sizes on future processors.

Although it's not obvious to look at them, a modern semiconductor can contain more than 60 linear miles of copper wiring across as many as 10 billion vertical connections. As process sizes shrink and increasing features are added to chips, that figure is only going to rise - and that's a real problem.

Where the interconnects meet the chip features, the wiring needs to be the same size. The result: tiny copper wires just 20nm wide for the latest generation of NAND flash parts. Creating these interconnects at such a small size causes real problems, largely due to bubbles forming as the small holes are filled with copper to create the connection. Back when interconnects were larger, these small bubbles didn't cause too much of a problem - but below 20nm a single bubble in a single interconnect can render a chip useless, meaning yields drop through the floor.

'The Applied Endura Amber system delivers a breakthrough solution for scaling interconnects beyond the 20nm node while maintaining good production yields,' claimed Sundar Ramamurthy, vice president and general manager of Applied Materials' metal deposition business unit, at the Semicon West announcement. 'Applied has extended its leading PVD technology with a unique system that achieves rapid, void-free fill of these structures at virtually any device node. We're seeing strong customer momentum for the Amber system with more than 30 chambers already in the field. Systems are already qualified as tool of record at leading logic and memory device manufacturers,' he added, without naming names.

The Amber Endura system works by filling the interconnect holes - known as vias - in as normal using a physical vapour deposition (PVD) technique, but then heating the chip to allow the capillary action of the tiny holes to draw the now-liquid copper up from the bottom. The result, Applied Materials claims, is a void-free fill with no cavitation issues. Thus far, Applied is the only company to be attempting a joint PVD-and-heating system for the creation of interconnects.

Although the company claims to be working with some of the world's leading semiconductor companies, it has yet to announce any customers that have used the Amber Endura system to fabricate a shipping product. source ; http://www.bit-tech.net/news/hardware/2 ... r-endura/1
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Message non lupar super_newbie_pro » 20 juil. 2012, 12:59

Un peu d'hydrogène avant la cuisson du graphène : recette du jour

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Des chercheurs de l’université allemande Friedrich-Alexander d’Erlangen-Nuremberg et du centre de recherche suédois Acreo AB, ont publié une nouvelle méthode de fabrication permettant de créer des semiconducteurs en graphène. Les résultats sont très impressionnants et ont été publiés dans la revue Nature Communications.
Des difficultés à créer un transistor en graphène

Le graphène est une couche de carbone d’un atome d’épaisseur. L’agencement des atomes en nid d’abeille en fait un excellent conducteur. Néanmoins, son utilisation au sein d’un transistor est beaucoup plus délicate. L’idée d’un transistor en graphène n’est pas nouvelle (cf. « Vers des transistors au graphène ») et nous commençons à bien manipuler ses propriétés électriques (cf. « Le graphène est la potion magique des télécommunications »).

Le problème est que la couche est fine et très fragile. L’insertion de contacts signifie souvent la création de trous. Les scientifiques ont récemment découvert que le graphène pouvait s’autoréparer. L’étude d’aujourd’hui montre qu’en utilisant du carbure de silicium, on pouvait créer un transistor beaucoup plus facilement. Il semble que ces recherches s’inspirent du papier d’IBM qui a créé un wafer en utilisant ce même cristal composé d’atomes de silicium et de carbone (cf. « Avancée majeure : IBM signe le premier die en graphène »).

Un peu d’hydrogène avant la cuisson

En effet, nous savons déjà que lors de la cuisson du carbure de silicium, les atomes de silicium quittent la couche haute du cristal pour laisser derrière les atomes de carbone qui forment alors une couche de graphène. La couche inférieure regroupe les atomes de silicium. Ainsi, en utilisant un laser avant la cuisson, il est possible de créer des motifs qui vont laisser la place aux transistors après la cuisson du wafer. Aujourd’hui, les chercheurs ont découvert qu’en ajoutant un peu d’hydrogène à l’état gazeux, il était possible de créer des points de contact sans endommager le graphène.

Source ; http://www.presence-pc.com/actualite/gr ... ene-48218/
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Message non lupar super_newbie_pro » 24 juil. 2012, 09:09

Le 20nm de TSMC sera produit en petite quantité l'année prochaine, la production de masse ne commencera qu'en 2014.

http://www.xbitlabs.com/news/other/disp ... _Year.html
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Message non lupar super_newbie_pro » 24 juil. 2012, 12:23

Après le 10 gigabits/s, l'Ethernet va passer à 40 gigabits/s

Si les appareils grand public passent progressivement à 1 gigabit/s (alors que la norme est intégrée dans les ordinateurs depuis une dizaine d'années), le groupe de travail qui gère l'Ethernet planche déjà sur le successeur de l'Ethernet 10 gigabits/s. Le NGBASE-T (Next Generation BASE-T) devrait permettre d'atteindre 40 gigabits/s sur des câbles RJ45 classiques, ce qui permet de garder la compatibilité avec les appareils encore en 10 gigabits/s ou 1 gigabit/s.

Actuellement, les réseaux 10 gigabits/s existent en BASE-T (câble RJ45 de catégorie 6 ou 6A) mais des versions utilisant de la fibre optique cohabitent avec ces derniers. Pour les réseaux plus rapides (40 et 100 gigabits/s), la fibre optique est le seul choix, ce qui limite parfois les possibilités.

Bien évidemment, le NGBASE-T ne va pas se retrouver dans vos ordinateurs avant quelques années : le 10GBASE-T commence à peine à se démocratiser dans le monde professionnel avec des cartes vendues sous les 500 € et les switchs compatibles restent très onéreux... Source ; http://www.presence-pc.com/actualite/et ... e-t-48246/
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Message non lupar super_newbie_pro » 26 juil. 2012, 15:09

Global Foundries agrandit sa Fab 8 pour gagner 30% de production supplémentaire

Les carnets de commande sur le 28nm sont pleins à craquer, TSMC et Global Foundries ont énormément de mal à tenir la cadence et de fournir la quantité voulue des derniers GPU d'AMD et de Nvidia, les processeurs ARM (Snapdragon S4 par exemple) mais la demande risque d'augmenter encore plus avec les futurs APU d'AMD qui devraient débarquer en début d'année prochaine.

La Fab 8 est capable de sortir 45 000 wafers de 300mm par mois, l'agrandissement de la Fab8 amènera à terme la production de wafers de 300mm à 60 000, soit une augmentation de 30%. De cette manière, cette usine de production de wafers devrait faire grimper son taux de compétitivité. L'usine devrait prendre environ 8400m² pour atteindre la superficie de 28 000m².

Les travaux devraient commencer le mois prochains et finiront dans les environs de fin 2013. La fab 8 prendrait alors 2,3 milliards de Dollars pour un investissement total de 6,9 milliards de Dollars.

La construction de la Fab 8 avait débuté en juillet 2009, le matériel et le personnel sont quant à eux rentré en mi 2011. Les premiers wafers sont sorti au début de l'année mais la Fab8 devrait - si tout va bien - atteindre son niveau de rendement maximum pour le début 2013. Source ; http://www.59hardware.net/actualite/soc ... 12715.html

La FAB 8 actuellement :

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Les projets :

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Message non lupar super_newbie_pro » 28 juil. 2012, 15:40

TSMC Boosts Output of 28nm Chips by Nearly 70% in the Second Quarter.

Taiwan Semiconductor Manufacturing Company said that in the second quarter of 2012 sales of wafers processed using 28nm manufacturing technology contributed to 7% of the company's revenue, which means an increase of supply by nearly 70% (if actual revenues are taken into account). Potentially, it means substantial boost of 28nm supply by TSMC, even though it is obvious that the demand still by far exceeds supply.
TSMC to Continue Boosting 28nm Output

"This year, every quarter, the major effort has been to ramp up 28nm and in doing so of course we did incur a lot of costs. As a result, the gross margin of 28nm all year this year will not be up to the corporate average standard. [...] 28nm is progressing very well," said Morris Chang, chief executive officer of TSMC, during a recent conference call with financial analysts.

28nm process technology accounted for 7% of total wafer revenues, meeting TSMC's internal plans. 40nm accounted for 28% of total wafer revenues, and 65nm was 26%. The advanced technologies accounted for 61% of total wafer revenues.

"Our output and our yields are both above the plans that we set for ourselves and the plans that we communicated to our customers early in the year. [...] We expect to ramp up to about 68 thousand 300mm wafers per month by the end of the year," claimed Mr. Chang.

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68 thousand 300mm wafers processed using 28nm manufacturing technology is a very high number.Back in Q1 2012 the world's largest contract maker of semiconductors mainly produced chips using 28LP (SiON) process technology, whereas companies like Nvidia Corp. blamed it for inability to supply processors manufactured at 28HP node that utilized high-k metal gate (HKMG) technology. TSMC projected to boost output of 28HP chips to 50% of all 28nm output by the end of the year. Unfortunately, the company did not reveal the split between 28nm SiON and 28nm HKMG process technologies planned today.

"First quarter of 2013 on, we will fully meet the 28nm demand. It is also then that we expect that the 28nm gross margin will catch up with the corporate average," added Mr. Chang.
TSMC Expects to Further Increase Revenues

“Due to continuing strong demand for our 28nm technology, we expect to double the shipments of 28nm in the third quarter. This increase in 28nm business will account for more than 80% of revenue growth in the third quarter,” said Lora Ho, SVP and Chief Financial Officer of TSMC.

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TSMC recently announced consolidated revenue of NT$128.06 billion, net income of NT$41.81 billion, and diluted earnings per share of NT$1.61 (US$0.27 per ADR unit) for the second quarter ended June 30, 2012. Year-over-year, second quarter revenue increased 15.9% while both net income and diluted EPS increased 16.3%. Compared to first quarter of 2012, second quarter of 2012 results represent a 21.4% increase in revenue, and a 24.9% increase in both net income and diluted EPS. Gross margin for the quarter was 48.6%, operating margin was 36.5%, and net margin was 32.7%.

For the third quarter 2012 TSMC expects revenue to be between NT$136 billion and NT$138 billion; gross profit margin is expected to be between 46% and 48%; operating profit margin is expected to be between 34% and 36%. Source ; http://www.xbitlabs.com/news/other/disp ... arter.html
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Message non lupar super_newbie_pro » 06 août 2012, 14:23

Le fondeur TSMC signe un accord avec ASML pour bénéficier des innovations du fabricant de machines de gravure de puces.

Logo TSMCIl y a une quinzaine de jours, nous apprenions qu'Intel avait signé un accord de près de 4 milliards de dollars avec ASML. Celui-ci concernait le développement de nouvelles machines-outils pour la gravure des processeurs sous lithographie EUV (Extreme Ultra-Violet) et le passage des tailles de wafers de 300 mm à 450 mm.

Il semblerait que TSMC soit aussi intéressé par cette technologie et propose également un accord du même genre pour ces deux procédés. L'accord engagera le fondeur à mettre 838 millions de dollars sur la table en échange de 5% de la société ASML et 276 millions de dollars répartis sur cinq ans pour bénéficier des avancées technologiques d'ASML.

Le hollandais ASML annonce que Samsung Electronics serait aussi de la partie, mais sans donner d'indications sur l'accord passé. Avec ce programme d'investissement, ASML devient le plus grand fabricant de machines permettant la gravure de puces à la finesse de 2x nm. Source ; http://www.pcworld.fr/business/actualit ... 0583,1.htm
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Message non lupar super_newbie_pro » 14 août 2012, 16:31

Les multiples personnalités du graphène

Des chercheurs de MIT ont découvert que les propriétés chimiques du graphène étaient modifiées en fonction du support sur lequel il était apposé. Ils ont pu ainsi revoir les modèles pour mieux anticiper son comportement.
Le graphène ne se comporte pas comme du graphite

David Chandler, qui écrit pour le site de MIT, donne l’exemple d’un papier cadeau. En principe, la couleur et la texture du papier ne changent pas en fonction de ce qu’il y a à l’intérieur du paquet qui est enroulé. Très schématiquement, nous pensions que c’était la même chose pour le graphène. Pour mémoire, le graphène est une couche d’un atome d’épaisseur composée d’atomes de carbones qui sont arrangés en nid d’abeille. Cette couche est si fine qu’elle demande d’être apposée sur un substrat pour être maniée.

Les scientifiques avaient du mal à expliquer les changements de comportement du graphène. Ils partaient du principe qu’il réagirait comme un graphite, un matériau qui regroupe plusieurs couches de graphènes. Or, nous savons aujourd’hui que ce n’est pas le cas.
Théorie du transfert des électrons

Les chercheurs expliquent que le graphène est si fin qu’il interagit avec le champ électrique des atomes du matériau sur lequel il est apposé. Cette interaction va considérablement modifier les propriétés du graphène.

Ainsi, s’il est apposé sur un dioxyde de silicium, comme c’est généralement le cas, il réagit avec certains agents chimiques pour devenir l’excellent conducteur que l’on connaît (cf. « Avancée majeure : IBM signe le premier die en graphène »). A contrario, s’il est posé sur du nitrure de bore, il ne réagit plus avec ces mêmes agents chimiques et il devient une couche aux propriétés différentes. Enfin, si l’on pose du graphène sur du cuivre, il joue le rôle d’antioxydant, empêchant complètement la corrosion du cuivre. Ce dernier phénomène est tellement surprenant que Qinq Hua Wang, auteur principal de ce papier, affirme que ce phénomène est « presque magique ».

Ces résultats ont permis de concevoir une « théorie du transfert des électrons » qui explique comment le champ électrique du matériau qui sert de support affecte le graphène. Il est maintenant possible de mieux comprendre et anticiper son comportement. Ces résultats ont été publiés dans la revue Nature Chemistry. Ils permettent d’imaginer de nouveaux capteurs et puces utilisant différents supports en fonction des propriétés que l’on cherche à obtenir. Source ; http://www.presence-pc.com/actualite/graphene-48446/
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Message non lupar super_newbie_pro » 22 août 2012, 10:23

TSMC triple sa capacité de production sur le 28 nm
Les lourds investissements réalisés par TSMC donnent de très bons résultats, alors que les rendements s'améliorent.

Le fondeur taïwanais TSMC vient d'annoncer qu'il produit actuellement trois fois plus de puces gravées en 28 nm qu'il n'en fabriquait au second trimestre. Les modifications de son appareil productif entreprises il y a peu portent donc leurs fruits, et TSMC se dit prêt à répondre à la demande sur cette finesse de gravure, alors que les constructeurs préparent les produits de la fin d'année. De quoi éviter les ruptures de stocks sur les nombreux produits qui passent au 28 nm actuellement ? On l'espère.

On sait en tout cas que le très demandé process de gravure à 28 nm de TSMC posait problème à certains fabricants de GPU ou de SoC ARM. En effet, les stocks produits par TSMC étaient trop faibles pour ses partenaires qui étaient tentés de se tourner vers la concurrence. Nvidia avait pour sa part signé un contrat d'approvisionnement avec TSMC pour garantir ses livraisons en GPU à destination de ses dernières séries de cartes graphiques.

Bien sûr, passer plus de lignes de production au 28 nm a coûté de l'argent à TSMC. Selon le Taiwan Economic News, le fondeur a investi pas moins de 3,6 milliards de dollars sur la première moitié de l'année, une grande partie de cette somme étant dédiée au 28 nm. Cela porte ses fruits, TSMC ayant déclaré être sûr de pouvoir répondre à toutes les demandes sur le quatrième trimestre.

Il faut, en plus, ne pas écarter du tableau les progrès faits par TSMC au niveau des rendements sur le 28 nm au cours des six derniers mois, avec aujourd'hui envron 80% des puces produites à cette finesse qui sont fonctionnelles. Ce serait, selon les fournisseurs de machines, le meilleur rendement de l'industrie sur le 28 nm. Au troisième trimestre, la Fab 15 (l'un des principaux outils de TSMC pour le 28 nm) traitera un total de 69.000 wafers, alors qu'elle en traitera 135.000 au quatrième trimestre. Source ; http://www.pcworld.fr/processeur/actual ... 0955,1.htm
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Message non lupar super_newbie_pro » 29 août 2012, 11:50

steamroller ; AMD tente de revenir dans la course des CPU

Alors que la révolution Bulldozer n'a pas eu lieu, et que l'arrivée de Piledriver au sein des APU de la gamme Trinity n'en finit pas d'être retardée, s'annonçant comme une évolution plutôt qu'un changement époustouflant d'une donne qui n'est guère en faveur du Texan, il est donc question de Steamroller.

Déjà évoquée dans une précédente actualité, cette architecture semble avoir trois buts principaux pour AMD :

Améliorer la distribution des données aux unités
Améliorer la performance sur un seul coeur
Améliorer la performance par watt

On retrouve quasiment la même organisation qu'avec Bulldozer si l'on compare ces deux images :

Comme on peut le voir, le seul changement majeur semble en effet la séparation en deux parties de l'unité de décodage, un pour chaque Integer Scheduler et l'ajout d'une unité dite MMX. Mais d'autres améliorations plus fines sont aussi de la partie et ont commencé à être détaillées.

Selon les simulations d'AMD, qui sont donc à prendre avec des pincettes, les modifications au sein du Front-end devraient lui permettre de traiter 30% d'opérations en plus par cycle. La prédiction de branche serait nettement améliorée et les cache-miss du côté du cache d'instruction en baisse de 30 %.

De nombreuses promesses, mais pas encore assez de concret

Mark Papermaster, qui présentait ces améliorations, n'en dit guère plus sur les détails de l'architecture pour le moment, celle-ci étant toujours prévue pour 2013. Du côté des registres, on apprendra par exemple qu'ils sont plus nombreux, mais avec la même latence. Soit. Le scheduler aurait aussi été amélioré de 5 à 10 %.

Il en sera de même pour l'optimisation de la consommation de l'ensemble. AMD précise qu'il a revu certaines de ses unités pour adapter son fonctionnement aux besoins des applications, baisser leur consommation et s'adapter aux logiciels du moment, sans sortir des promesses empiriques.

Il est néanmoins question d'une conception revue et corrigée des unités, le travail effectué sur l'unité FP de Bulldozer permettant de réduire sa consommation et sa densité de 30 %. Reste à voir quand cela sera appliqué et si l'on constatera de tels gains dans la pratique.
Source ; http://www.pcinpact.com/news/73380-jagu ... es-cpu.htm
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Message non lupar super_newbie_pro » 29 août 2012, 14:20

MAXWELL la future architecture de nvidia arrivera en 2014 en 20nm, la GTX780 (GK110) en Mars 2013

A lire en anglais http://vr-zone.com/articles/no-nvidia-g ... 17073.html
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Message non lupar super_newbie_pro » 29 août 2012, 14:49

TSMC rejoint Intel pour la gravure en moins de 10 nm

TSMC a rejoint Intel, DNP et Photronics au sein de IMS Nanofabrication AG, un groupe qui travaille sur la fabrication des masques qui seront utilisés dans la gravure à moins de 10 nm, selon le communiqué.
Les fondeurs se préparent déjà au 10 nm

Selon la roadmap d’Intel, le 10 nm devrait être une réalité en 2018 (cf. « Une roadmap d’Intel jusqu’au 10 nm en 2018 »). Il devrait en principe faire appel à un laser à ultra-violet extrême (cf. « Le 10 nm d’Intel aura-t-il l’EUV ? »). Il est possible que les transistors utilisent un canal en nanotube de carbone (cf. « Un transistor de 9 nm en nanotube de carbone ») et que les puces soient d’abord destinées au monde mobile (cf. « Le premier processeur en 14 nm serait un Atom »).

Des travaux sur la fabrication de masques à l’aide de multiples faisceaux d’électrons

L’un des défis à relever est la fabrication d’un masque compatible avec ce genre de technologie. Le groupe en question travaille sur un modèle façonné à l’aide de multiples faisceaux d’électrons. C’est une technique lithographique peu utilisée, complexe, mais très prometteuse comme le montrent les recherches d’IBM (cf. « Avancée majeure : IBM signe le premier die en graphène »). Nous savons que les fondeurs s’y intéressent (cf. « Accord entre STMicroelectronics et CEA-Leti »), mais nous sommes encore très loin d’une maîtrise compatible avec les exigences d’une production en masse.

Selon IMS, le proof-of-concept est presque terminé. Il devrait donner naissance à des versions alpha et beta qui vont permettre de juger de la viabilité de cette technologie. Source ; http://www.presence-pc.com/actualite/10 ... que-48572/
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Message non lupar super_newbie_pro » 05 sept. 2012, 13:44

TSMC repousse le 450 mm à 2018

TSMC a dévoilé sa roadmap et affirme qu’il compte vendre des puces gravées sur des wafers de 450 mm (18 pouces) en 2018. L’an dernier la firme parlait de 2015 (cf. « Le 450 mm : oui, mais pas tout de suite »). Le Taipei Times explique aujourd’hui pourquoi TSMC a pris du retard et les mesures qu’il a entrepris pour que le 10 nm se passe sur ces plus grandes galettes.

Une étape difficile, mais importante

Le fondeur taïwanais a rappelé l’importance de cette nouvelle dimension qui va être cruciale dans la réduction des coûts de production, car il sera possible de fabriquer deux fois et demie de dies en plus que sur du 300 mm. Il existe néanmoins des défis industriels et économiques importants à l’utilisation d’une surface plus grande (cf. « Miniaturisation des transistors et agrandissement des wafers : comprendre les enjeux technologiques »).

Pour surmonter ces obstacles, TSMC a rejoint le Global 450 Consortium, un groupe composé d’Intel, Samsung, IBM et GlobalFoundries. La présence d’Intel, qui fait généralement bande à part, montre le sérieux de la situation. Ce consortium regroupe 20 ingénieurs de chaque compagnie travaillant uniquement sur des solutions qui permettront l’utilisation du 450 mm.

Une annonce qui nous laisse optimistes

Cette union est aussi importante financièrement, car elle permet de réduire les coûts en recherche et développement. En effet, l’autre facette de ce problème est l’investissement qu’une transition vers cette technologie requiert. TSMC a abaissé ses dépenses en équipements de 2,6 % cette année. Il devrait les augmenter de 8 % l’an prochain, ce qui témoigne de son optimisme dans la résolution de la crise macro-économique qui touche l’industrie du semiconducteur. Selon la roadmap, le fondeur devrait ouvrir une ligne de production test entre 2016 et 2017, soit un an après les estimations d’ASML qui pense avoir des machines prêtes en 2015. Si tout se passe bien, une fabrication en masse en 2018 est envisageable.

Le 450 mm a été repoussé de nombreuses fois. Il était originellement prévu pour 2012 (cf. « Les wafers de 450 mm seront-ils retardés ? »). Avec maintenant 6 ans de retard, on peut se demander si ces dernières estimations de TSMC peuvent être prises au sérieux. Il convient évidemment de prendre cette roadmap avec des pincettes. Par définition, une prévision contient une part d’incertitude. Néanmoins, c’est la première fois que nous entendons parler de plans aussi précis, ce qui est un très bon signe. Source http://www.presence-pc.com/actualite/45 ... SMC-48647/
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Message non lupar super_newbie_pro » 13 sept. 2012, 12:59

SAMSUNG : 10nm en chine pour 2014

Samsung met en chantier la construction d'une usine d'avant-garde dans la production de NAND flash et choisit la région la plus dynamique de Chine concernant les nouvelles technologies.

Samsung_30nm_3bit_MLC_NAND_01Samsung a tenu hier une cérémonie pour fêter le début des travaux qui déboucheront sur l'ouverture d'une nouvelle ligne de production de puces mémoire en Chine, à Xi'an. Une fois terminée et en activité, cette nouvelle unité de production s'attèlera à la fabrication de puces de NAND flash gravées à 10 nm. Oh-Hyun Kwnon, PDG de Samsung et vice-président du conseil, avait fait le déplacement pour l'occasion.

"C'est un honneur d'être en Chine aujourd'hui pour célébrer le 20ème anniversaire des relations diplomatiques entre la Corée et la Chine, alors que nous fêtons également 20 années de domination consécutives de notre entité semiconducteurs sur le marché de la mémoire. Cette nouvelle usine est une fondation solide pour permettre à Samsung de continuer à fournir à l'industrie des nouvelles technologies des semiconducteurs de qualité, et améliorer l'expérience des gens lorsqu'ils utilisent de la technologie" a-t-il déclaré.

Cette usine devrait être achevée en 2014 et coûtera au total la bagatelle de 2,3 milliards de dollars américains, dans le cadre d'un investissement total de 7 milliards de dollars en Chine de la part de Samsung. Avec 37 universités et 3.000 centres de R&D, Xi'an est la région la plus active et la plus avancée de Chine en matière de nouvelles technologies. Samsung a d'ailleurs lancé un programme avec plusieurs universités de la région, pour tenter de recruter à la sortie de l'école les meilleurs diplômés.
http://www.pcworld.fr/memoire-ram/actua ... 1587,1.htm
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Message non lupar super_newbie_pro » 13 sept. 2012, 13:02

Intel talks 10nm in 2015

Intel held a nice technical session for journalists and analysts and we got a chance to hear the presentation by a senior Intel fellow, a chap called Mark Bohr who talked about the 14nm manufacturing process and beyond.

It turns out that Intel hopes to have its 14nm manufacturing ready in late 2013 to meet the schedule for the next generation that we know as the Broadwell in 2014 mass production. The process is called P1272, described as 16nm, and Intel has taken some steps to make it denser than expected. Intel has adopted tighter pitches than it was expected four years ago when the process was announced and a part of the story is that Intel has changed to a low-power oriented roadmap more than simple brute force high performance like in past years.

The future of manufacturing for Intel includes research in fields like 10nm that is expected in 2015 or beyond. At the same time Intel also works on 7nm and even 5nm but Bohr did not get into specifics when can we expect these next steps.

If Intel keeps the manufacturing changes every other year, this would get us with 10nm in 2015, 7nm in 2017 and 5nm in 2019 but these are no guarantees that Intel can keep up with such a schedule.

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source http://www.fudzilla.com/home/item/28728 ... nm-in-2015
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Message non lupar super_newbie_pro » 14 sept. 2012, 11:04

Samsung dévoile sa roadmap DDR4 et montre ses premiers modules DDR4 2133 MHz

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source : http://www.xbitlabs.com/news/memory/dis ... admap.html
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