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Message non lupar super_newbie_pro » 21 sept. 2012, 12:57

Globalfoundries : 14nm coming in 2014, 20nm in 2013

AMD spinoff Globalfoundries is speeding up development and it plans to offer 20nm chips in 2013 and 14nm in 2014.

The 14nm process is particularly interesting, and its official name is 14XM, or extreme mobility. It will use 3D FinFET transistors with planar technology from the 20nm process, allowing a faster transition. The company estimates that 14nm parts will offer a 20 to 55 percent performance advantage over 20nm chips. Battery life will be improved by 40 to 60 percent.

Globalfoundries obviously hopes to expand collaboration with ARM partners and attract more business. TSMC and maybe even Intel will have a thing or two to say about GloFo’s plans, but it will be very interesting to see whether the company can seriously challenge TSMC at its own game. source : http://www.fudzilla.com/home/item/28838 ... hifts-gear
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Message non lupar super_newbie_pro » 17 oct. 2012, 12:26

16nm chez TSMC fin 2013 et 14nm ensuite

TSMC a présenté une roadmap détaillant les finesses de gravures qu’il allait entreprendre. Selon une capture d’écran et les informations recueillis par EETimes, il devrait commencer à produire des puces ARMv8 en 16 nm d’ici novembre 2013.

Le fondeur commencera à utiliser le double motif avec son 20 nm l’an prochain et fera appel aux FinFET (transistors en 3D) avec son 16 nm. Le planning est très proche de celui de GlobalFoundries, ce qui semble indiquer des avancés importantes au sein du Fab Club, ce groupe de fondeurs et entreprises qui joignent leur force pour lutter contre Intel.

Le 16 nm de TSMC devrait être proche du 20 nm. Il utilisera des transistors avec une grille métallique et une couche isolante d’un diélectrique High-K. Il fera aussi appel au double motif. TSMC affirme d’ailleurs que des éléments gravés en 16 nm et 14 nm seront collés à des modules gravés en 20 nm et 22 nm, afin de faciliter la transition. En effet, ces finesses de gravure en dessous de 20 nm et les transistors en 3D vont demander de complètement redessiner les structures les plus simples. Il semble qu’une simple réduction de la taille du die ne soit pas possible, selon le témoignage d’un designer de contrôleurs USB.

Ces informations confirment les rumeurs qui avait fait surface l’été dernier (cf. « Les ARM 64 bits seront gravés en FinFET »). L’architecture ARMv8 a été annoncée l’an dernier (cf. « ARMv8 : le 64 bits va arriver »). Elle succèdera à l’ARMv7 qui sera utilisé dans les Cortex-A15 et apportera la gestion du 64 bits. Source : http://www.presence-pc.com/actualite/16 ... SMC-49067/ de http://cdn.eetimes.com/electronics-news ... -nm-FinFET
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Message non lupar super_newbie_pro » 17 oct. 2012, 14:55

Nouvelle interview mais rien de nouveau :

http://www.vg247.com/2012/10/17/total_w ... e_returns/
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Message non lupar super_newbie_pro » 29 oct. 2012, 11:03

Record : 10 000 transistors en nanotube de carbone sur un wafer

Pour la première fois, IBM a intégré plus de 10 000 transistors fonctionnels en nanotubes de carbones sur un die en silicium en utilisant les machines et techniques lithographiques communes.
Une méthode très prometteuse

C’est une étape importante qui permet d’envisager la commercialisation de puces utilisant ce genre de structures. Les avantages seraient une miniaturisation plus simple qu’avec des transistors en silicium classiques qui sont maintenant obligés de faire appel à une architecture en 3D (cf. « Tri-Gate : Intel et le transistor 3D »). Les nanotubes de carbones permettraient aussi de réduire la consommation et augmenter les fréquences.

Pour mémoire, le nanotube est utilisé comme canal entre la source et le drain. Ses propriétés permettent aux électrons de se déplacer plus librement qu’au sein du silicium, ce qui explique l’amélioration des performances. La méthode d’IBM semble avoir été d’intégrer les nanotubes de carbones au sein du wafer en silicium, lors de sa fabrication.

Concrètement, les nanotubes sont combinés à un agent de surface qui va les rendre solubles dans l’eau, selon IBM. Le substrat en dioxyde de hafnium et dioxyde de silicium, qui va servir pour la fabrication des wafers, est trempé dans la solution contenant les nanotubes de carbones qui vont s’attacher au dioxyde de hafnium.
Transistors en nanotube de carboneTransistors en nanotube de carboneLa révolution des transistors est proche

Pour remettre les choses dans leur contexte, le dernier Ivy Bridge d’Intel dispose de 1,4 milliard de transistors et l’architecture Kepler de NVIDIA en demande 7,1 milliards. Avec les 10 000 transistors d’IBM, nous sommes encore loin de voir une puce complexe utiliser ce genre de structure, mais l’annonce est très symbolique et importante, parce qu’elle montre que la recherche avance rapidement.

Nous vous parlions des transistors en nanotube de carbone en 2007 (cf. « Un transistor en carbone de l’épaisseur d’un atome »). La structure a été présentée pour la première fois en 1998, mais les cinq dernières années ont été phénoménales. Les scientifiques ont réussi à manipuler le carbone pour optimiser ses performances (cf. « Le transistor en carbone démontré »), ils ont fait des découvertes importantes portant sur l’assemblage des divers éléments formant le transistor (cf. « Un nanotube de carbone comme transistor ») et IBM a récemment montré une haute maîtrise de ce matériau (cf. « Un transistor de 9 nm en nanotube de carbone »). Bref, nous avons pu témoigner des diverses découvertes qui permettent aujourd’hui de présenter une puce qui pourrait être commercialisée.

Il reste encore des défis importants à relever en termes de rendements et développement d’une méthode compatible avec les contraintes des usines d’aujourd’hui. Il faut, par exemple, que le carbone soit extrêmement pur, ce qui est loin d’être évident. Contrôler sa position au sein du wafer reste aussi très compliqué. Source : http://www.tomshardware.fr/articles/nan ... ,1-54.html
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Message non lupar super_newbie_pro » 25 nov. 2012, 12:48

Dossier de Toms Hardware sur le graphène

http://www.tomshardware.fr/articles/gra ... ,2-18.html
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Message non lupar super_newbie_pro » 04 déc. 2012, 13:38

Le futur des OLED sans oxyde d'indium et étain

Un chercheur travaillant sur l'électrode d'un écran OLED (source : laboratoires Ames)Un chercheur travaillant sur l'électrode d'un écran OLED (source : laboratoires Ames)

Des chercheurs du laboratoire Ames du département américain de l’énergie ont trouvé le moyen de remplacer l’électrode en oxyde d’indium et étain (ITO) utilisée dans les écrans OLED par un polymère plus écologique et moins cher.
Le problème de rareté de l’indium

L’indium est disponible en quantité limitée, ce qui signifie que son utilisation augmente les coûts de production. Les chercheurs s’attachent donc à trouver un remplaçant afin de préserver les stocks actuels. La tâche est très difficile, car l’indium est utilisé dans les anodes des écrans depuis des décennies en raison de ses excellentes propriétés électriques et du fait qu’il soit transparent, ce qui permet de ne pas diminuer les performances de la dalle. C’est ce qui explique qu’il est un élément privilégié dans la fabrication d’écrans (cf. « Le Willow de Corning veut vous enrouler »).

La réponse pourrait être le PDEOT:PSS modifié

Les scientifiques cherchant un remplaçant approchent le problème de la manière la plus directe possible en tentant de créer un oxyde combinant du zinc et un autre métal (cf. « Un écran OLED transparent ? »). Les chercheurs américains ont néanmoins publié des travaux intéressants dans la revue Advanced Materials montrant qu’il était possible d’utiliser un polymère répondant au nom de PEDOT:PSS, un mélange de poly(3,4-éthylènedioxythiophène) et de poly(styrène sulfonate) de sodium que l’on retrouve, entre autres, dans les encres de cartouches d’imprimantes.

Dans sa forme classique, le PEDOT:PSS n’est pas assez performant, mais en utilisant une technique de fabrication combinant différentes couches du matériau et en utilisant un traitement particulier, les scientifiques ont réussi à améliorer ses propriétés électriques pour en faire un remplaçant disposant d’un rendement 44 % supérieur à l’oxyde d’indium et étain. C’est une découverte intéressante qui pourrait abaisser le prix des écrans OLED et populariser les modèles flexibles si jamais les chercheurs arrivent à rendre la fabrication du polymère compatible avec les contraintes des industriels.

Source : http://www.presence-pc.com/actualite/ox ... PSS-49228/
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Message non lupar super_newbie_pro » 06 déc. 2012, 15:55

Alors qu'AMD gravera ses processeurs en 28nm en 2014 et qu'à ce moment là intel gravera en 14nm soit une finesse de gravure doublement plus fine (rien que ça...) intel enfonce un peu plus le clou de l'avance technologique en annonçant la disponibilité des waffer 450mm non pas pour 2017 comme annoncé par l'industrie mais en ... 2014 (arf !)

Intel : le wafer de 450 mm n'est pas si lointain que ça !

Intel progresse dans le développement des wafers de 450 mm, et pourrait déjà s'en servir pour la prochaine génération de CPU Haswell.

Wafer 450 mmC'est par la voix de son emblématique Directeur technique, Justin Rattner, que l'on apprend qu'Intel sera en passe de mettre en ligne ses chaines de fabrication de wafers au format 18 pouces. D'ici un ou deux ans, les chaines de fabrication du fondeur, comme la D1X en Oregon, la Fab 42 d'Arizona ou encore la Fab 24 en Irlande, pourraient produire les premiers processeurs Intel (P1272) en 14 nm avec ces wafers de 450 mm et même des SoC (1273).

Cependant, Intel n'indique pas si ce développement, pourtant bien avancé, est en partie dû à la récente prise de parts dans le hollandais ASML. Plus étrange encore, ce dernier ne devait pas pouvoir sortir son premier wafer de 18" avant 2017. Mais le rythme d'avancement dans la finesse de gravure de la concurrence, notamment chez Samsung qui pense passer au 20 nm l'année prochaine ou encore Globalfoundries avec des puces en 14 nm FinFET également pour 2013, impose au fondeur de Santa Clara de continuer sa recherche et de descendre toujours plus loin dans la finesse. Il est normalement prévu d'atteindre le 10 nm en 2015, le 7 nm ensuite et même le 5 nm selon les derniers plans croisés à l'IDF 2012.

[ Mise à jour 6 décembre 2012 à 16h30 ]

Après un échange avec les représentants Intel France, il s'avère que Justin Rattner a précisé que la firme de Santa Clara reviendra avec un plan plus précis fin 2013 sur l'évolution du passage au wafer de 450 mm. Ainsi, les processeurs Intel Haswell continueront à être produits sur des wafers de 300 mm. Source : http://www.pcworld.fr/processeur/actual ... 3927,1.htm
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Message non lupar super_newbie_pro » 06 déc. 2012, 16:52

Nvidia Tips 20nm Contract to TSMC

Taipei, Dec. 5, 2012 (CENS)--Industry executives have regarded an Nvidia executive’s statement in a recent interview with a South Korean newspaper as the company’s inclination to contract Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. (TSMC) as its 20nm process foundry provider.

In an interview conducted by Hankook Ilbo, a daily newspaper published by the Hankook Ilbo Media Group in Seoul, Phil Eisler, general manager of GeForce GRID Cloud Gaming at Nvidia, pointed out that Nvidia has approved TSMC’s 20nm foundry capacity.

Eisler said although his company has evaluated all foundry options, TSMC remains the best choice for his company. He noted that his company has set up long-term cooperation with TSMC, which has persistently provided Nvidia the optimum portfolio of production capacity, technology and pricing.

Samsung Electronics is also reportedly competing for Nvidia’s 20nm foundry contracts.

Samsung’s share of world silicon foundry market remains low. According to market research organization Gartner, in 2011 TSMC had 48.8% of the market, far leading United Microelectronics Corp.’s 12.1%, GlobalFoundries Inc.’s 12% and Samsung’s 1.6%.

Nvidia, a world leading vendor of graphics processing units (GPUs), has recently branched out into processors for non-Apple tablet PCs and smartphones. The chips require advanced processing technologies.

Industry executives felt that Nvidia’s contracts will keep TSMC’s advanced processing technologies running at high capacity. They are watching whether TSMC will be able to lure Apple contracts away from Samsung in 2013 after winning Nvidia contracts. Source : http://news.cens.com/cens/html/en/news/ ... 42252.html
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Message non lupar super_newbie_pro » 10 déc. 2012, 14:54

Intel: Transition to 450mm Will Terminate Half of Semiconductor Market Players.

Chief executive of Intel Corp. believes that the incoming and inevitable transition to manufacturing using 450mm wafers will reduce the number of semiconductor companies by half. Naturally, the outgoing Intel boss is confident that the firm will successfully undergo all changes.

“I do think there are a number of transitions coming up in this decade. We’ve got transition to 450mm [wafers] at some point; we’ve got a transition to EUV at some point. Both are going to be expensive and are going to require scale. In general, every time there has been a wafer-size change in the industry, only half of [design and production] market players [survived],” said Paul Otellini, CEO of Intel, at Sanford Bernstein technology conference.

The reason why the head of Intel is so optimistic about the success of the transition to 450mm and EUV manufacturing is clear and simple: the company has been on the development forefront of both technologies. Moreover, this year Intel invested into ASML, a leading maker of semiconductor manufacturing equipment. As a result of getting a stake in ASML, Intel gets almost full control of the transition to 450mm wafers and extreme ultraviolet (EUV) lithography.

“I think we are likely to see the structure of the industry to dramatically change in the next four or five years. It is clear to me that Intel will be viable on the other side of that [transition to 450mm],” said Mr. Otellini.

Given the volumes Intel produces now and keeping in mind that it is in process of a great expansion into the growing markets of smartphones and media tablets, transition to 450mm wafers is a logical decision for Intel. Thanks to large volumes and large wafers, Intel will reduce its production costs, something that it needs to better compete against its new rivals that belong to the ARM camp.

It is necessary to note that Intel expects smaller players, such as fabless developers of chips and actual makers of chips, to extinct as a result of transition to 450mm and EUV, a bad signal for companies with stagnating or declining sales. At the same time, the extinction of smaller players will not make the life of Intel easier as the company will face stronger competitors with high ambitions. Source : http://www.xbitlabs.com/news/other/disp ... ayers.html
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Message non lupar super_newbie_pro » 13 déc. 2012, 12:51

La 1re puce nanophotonique à 90 nm
Le nano-laser d'IBM

IBM vient d’annoncer avoir réussi à fabriquer une puce nanophotonique regroupant tous les éléments optiques sur un die gravé en 90 nm. C’est une première importante qui montre que les interconnexions optiques sont vraiment à cinq ans de nous ou moins.
IBM a réussi à placer tous les composants nécessaires au sein du die

On se souvient qu’en 2007, IBM se réjouissait d’avoir conçu un modulateur photonique capable d’intégrer une puce en silicium (cf. « Le processeur photonique à notre porte ? »). Aujourd’hui, il a en plus ajouté un photodétecteurs en germanium et un multiplexeur en longueur d’onde. Bref, tous les composants nécessaires pour générer un laser et transmettre des informations sont maintenant présents sur la puce.

L’autre prouesse est d’avoir réussi à fabriquer une telle architecture en utilisant des outils déjà disponibles dans les usines actuelles.
Les puces nanophotoniques en passe de devenir une réalité

IBM a réussi à atteindre des débits de 25 Gbit/s. Il est aussi possible d’intégrer plusieurs flux de données à la fois pour multiplier la bande passante. En principe, ce système sera d’abord utilisé pour améliorer la communication entre les processeurs présents sur la carte mère d’un serveur. Au fur et à mesure des miniaturisations, il sera possible d’utiliser ce système pour optimiser les modules présents au sein du die (cf. « L’informatique photonique se rapproche ») Source : http://www.presence-pc.com/actualite/na ... -nm-49258/
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Message non lupar super_newbie_pro » 14 déc. 2012, 12:45

Rumeur : Nvidia racheté par Intel, Jen-Hsun Huang propulsé PDG

Attention, rumeur de choc ! Vous êtes prêt ? La voici : Intel serait en pourparlers pour racheter Nvidia et dans ce cas, Jen-Hsun Huang, fondateur et PDG de Nvidia se retrouverait promu PDG d'Intel.

Si vous jugez d'emblée qu'un tel rapprochement est impossible, rappelez-vous qu'AMD a racheté il y a quelques années ATI, chose qui semblait tout à fait improbable à l'époque. Peu d'éléments soutiennent néanmoins la thèse d'un rachat de Nvidia par Intel. Nos confrères de BrightSideofNews qui la présentent, s'appuient sur des sources aux Émirats Arabes Unis. Selon ces sources, les discussions entre les deux sociétés existent depuis longtemps, mais dernièrement, un changement important aurait eu lieu : Intel aurait accepté la condition qui aurait bloqué toutes les précédentes tentatives de rachat de Nvidia, à savoir que M. Huang et ses lieutenants prennent les rênes de la nouvelle entité.

Or, Intel a concomitamment annoncé que son PDG actuel, Paul Otellini, allait prendre une retraite anticipée en mai 2013, sans désigner son successeur. Pour la première fois de son histoire, Intel envisage même de faire appel à une personnalité extérieure à l'entreprise pour ce poste stratégique. Faut-il y voir un signe de l'arrivée prochaine de Jen-Hsun Huang ?

Le dernier élément donnant crédit à cette rumeur est qu'Intel tirerait un grand profit d'une alliance avec Nvidia. D'une part, les performances graphiques sont devenues l'axe principal d'évolution des puces Intel.Ivy Bridge est la troisième génération de processeurs Intel possédant un GPU intégré. La prochaine, Haswell ne devrait offrir que peu de progression d'un point de vue CPU, mais un doublement des performances GPU ! D'autre part, Nvidia apporterait à Intel un réel savoir-faire dans les SoC pour smartphones et tablettes, et une réelle part de marché.

Nvidia serait également très fortement bénéficiaire du rachat : le caméléon pourrait profiter des capacités de production inégalées d'Intel pour graver ses GeForce et Tegra.

Le très grand perdant d'un tel rapprochement serait - évidemment - AMD, qui verrait ses principaux adversaires s'allier et devenir plus forts.
Source : http://www.tomshardware.fr/articles/nvi ... 1-239.html
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Message non lupar super_newbie_pro » 24 déc. 2012, 14:01

Samsung : une nouvelle progression sur le 14 nm FinFET avec ARM pour partenaire

La production de transistors tri-dimensionnels FinFET en 14 nm n'est plus très loin selon les dernières déclarations de Samsung...

La firme coréenne émet une nouvelle annonce sur son plan de développement de ses processeurs. Tout récemment, on apprenait que cette dernière investirait largement sur sa deuxième unité de production au Texas à Austin. Cette seconde annonce à quelques jours près intervient sur l'exploitation du FinFET dans la production de transistors en trois dimensions.

Doit-on forcément relier les deux annonces ? Cela serait vraiment tentant, en effet, mais rien ne dit encore si Samsung est prêt à produire en masse des SoC et autres produits électroniques avec cette nouvelle génération de transistors. Cependant, on apprend que le coréen a bien signé un accord de partenariat avec ARM qui travaille sur ce sujet. D'autres partenariats sont également cités comme Mentor Graphics, Cadence ou encore Synopsys Inc. pour le design et l'exploitation de cette nouvelle technique de fabrication.

Si l'Exynos 5 sera encore gravé en 32 nm, Samsung se prépare bien à passer au 14 nm rapidement pour gagner un temps précieux sur ses concurrents comme Qualcomm ou encore Nvidia qui ne produisent pas eux-mêmes leurs SoC et qui sont donc liés à leurs fondeurs et leurs recherches comme TSMC qui produit en 28 nm et qui pourrait passer lui au 16 nm l'année prochaine.
Source : http://www.pcworld.fr/processeur/actual ... 4375,1.htm
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Message non lupar super_newbie_pro » 20 janv. 2013, 17:53

Intel et les wafers de 450mm pour 2015

Intel va poser la première pierre de sa première usine dédiée aux wafers de 450mm cette année. Elle sera construite à Hillsboro dans l'Oregon, à quelques encâblures de Portland. Elle sera une expansion de l'actuelle D1X Fab et portera le nom de D1X Module 2. Avec elle seront ajoutés des locaux administratifs, des hangards de stockage, etc. Intel claquera 2 milliards de dollars pour cette nouvelle usine dont les premiers rendements devraient être opérationnels en 2015. L'actuelle D1X qui sert de base au projet D1X mod 2 sera reconvertie pour le 14nm avec des wafers de 300mm.

Par ailleurs, le vice patron d'Intel branche TME et un de ses acolytes, respectivement Bob Bruck et Mario Abravanel, ont présenté lors du SEMI Industry Strategy Symposium un wafer de 450mm, sans rien dire à son sujet. On ne sait rien de ce qui était dessus, et aucune annonce n'a été faite, juste du teasing. Intel a seulement dit que la présence de cette galette était le fruit du travail combiné d'Intel bien entendu, mais aussi de Sumco, de Dainippon et de Molecular Imprints. Un teasing pour rassurer certainement ! (Source X-bit labs via le comptoire du hardware)
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Message non lupar super_newbie_pro » 05 févr. 2013, 13:02

Internet illimité haut débit par satellite

Il est rare que nous diffusions des news relatives à des forfaits web. Mais celui-ci marque un tournant pour tous ceux qui sont pommés dans la montagne, isolés des villes et villages et qui désiraient plus que tout avoir accès à un internet illimité haut débit. C'est ENFIN possible... Grâce au satellite qui, jusqu'à maintenant avait un quota de données. On passe enfin à l'illimité :

Eutelsat élargit ses offres d'accès à Internet par satellite, augmente les débits dans les deux sens et se met à l'illimité.

Si l'accès à Internet par satellite semblait idéal pour combler la fracture numérique et proposer de bons débits aux oubliés des zones blanches, la démocratisation de cette technologie tarde à se faire, et ce notamment parce que lui sont souvent reprochés des temps de réponse et débits faibles, et des prix élevés, avec notamment des frais de mise en service onéreux. Toutefois, plus le temps passe, plus les choses s'améliorent sur les deux fronts, ce qui est forcément une bonne nouvelle.

Dans ce registre, on constate que Eutelsat fait en effet des efforts, avec une gamme de forfaits Tooway élargie, qui démarre à 20€ par mois pour les petits budgets et offre désormais un accès illimité sans quotas pour les internautes les plus voraces. Aussi, l'accès à 20 Mbps en téléchargement et 6 Mbps en téléversement est généralisé sur toutes les offres, excepté le forfait "S", le moins cher. Enfin, signalons qu'il n'est plus nécessaire d'acheter le matériel (parabole, modem, etc.), la location de celui-ci étant désormais proposée pour 8€ par mois (5€ avec la formule Tooway Absolute).

Voici donc comment se compose désormais l'offre Tooway :

20€ / mois : Tooway S, quota de 2 Go et débit limité à 2 Mbps en émission et 1 Mbps en réception
30€ / mois : Tooway M, quota de 10 Go
40€ / mois : Tooway L, quota de 20 Go le jour, illimité la nuit (23h à 7h)
50€ / mois : Tooway XL, quota de 30 Go le jour, illimité la nuit
75€ / mois : Tooway Absolute, illimité jour et nuit

Rappel, Eutelsat ne commercialise par directement ces offres, et il convient de se diriger vers NordNet ou Sat2Way pour y avoir accès.

Source : http://www.pcworld.fr/internet/actualit ... comments=1
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Message non lupar super_newbie_pro » 12 févr. 2013, 19:35

GlobalFoundries : le 10 nm en 2015, le 7 nm dès 2017

Le fondeur GlobalFoundries a profité du Common Platform Technology Forum - qui s’est tenu la semaine dernière et où s’expriment les différents membres de la de la Common Platform Alliance – pour présenter ses technologies actuelles et à venir.
20 nm, puis 14 nm, puis 10 nm, puis 7 nm …

D’ici la fin de l’année, GlobalFoundries devrait ainsi commencer à utiliser son process 20-LPM (20 nm), pour rapidement migrer vers le process 14-XM (14 nm) et ses transistors FinFET dès 2014. La gravure en 10 nm (10-XM) est quant à elle attendue pour le second semestre 2015, tandis que le process de gravure en 7 nm pourrait voir le jour d’ici quatre ans.

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On notera au passage que le fondeur devrait concentrer ses efforts sur la gravure en 14 nm, le process 20-LPM pouvant être considéré comme une étape de transition. Les process 14-XM (« eXtreme Mobility ») et 10-XM devraient également être bien plus polyvalents que les actuels procédés de gravures en 28 nm, quasiment chaque type de puce ayant son propre procédé de gravure (28-SHP pour la gravure des puces hautes performances, 28-HPP « High Performance Plus », 28-LPH « Low-Power, High-Performance » ou encore 28-SLP « Super Low Power »). Reste à savoir si le fondeur parviendra à respecter cette roadmap, et si les yields seront satisfaisants…
Source : http://www.tomshardware.fr/articles/Glo ... 36929.html
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Message non lupar super_newbie_pro » 02 mars 2013, 07:58

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Message non lupar super_newbie_pro » 04 avr. 2013, 12:57

Les specs de la mémoire HMC entrent en phase de finalisation

Comme nous vous le disions hier, la fin de la loi de Moore est proche, au moins pour AMD et, dans une moindre mesure, son chef des architectures GPU John Gustafson. Mais il existe bien des façons d'envisager l'avenir, comme par exemple, les processeurs construits par couches successives, là où il n'y a pour les processeurs actuels qu'une surface en 2D. L'intérêt étant qu'il devient alors possible de multiplier les cores très facilement, et d'autant plus simple encore de les connecter entre eux.

Si ce n'est qu'une voie possible pour la recherche, pour continuer à augmenter les performances des processeurs, il est possible que ce ne soit pas les CPU qui soient les premiers à faire le saut vers la tridimension. En effet, le HMCC ou Hybrid Memory Cube Consortium, qui réunit des poids lourds comme Samsung, Hynix, Micron et Microsoft, mais compte aussi des membres comme ARM, HP et IBM ainsi que Xilinx et Open-Silicon, a publié la version 1 des spécifications de la mémoire éponyme (HMC donc), avec un peu de retard puisque la deadline du consortium avait auparavant été fixée à fin 2012.

Il s'agit donc là d'un vrai pas en avant vers la commercialisation de tels modules de RAM. Leur structure est similaire aux hypothétiques processeurs 3D : il s'agit de couches empilées les unes sur les autres et connectées entre elles, ici avec une technologie appelée TSV pour Through-Silicon Vias ("routes à travers le silicium").

Micron avait déjà fait la démonstration d'un de ses prototypes en 2012, une mémoire qui débitait du 128Go/s, un nombre dix fois supérieur à ce dont est capable la DDR3. Mais ce n'était pas son seul avantage : elle consommait aussi 70% d'énergie en moins lors d'un transfert de données, ce qui a évidemment fait tourner quelques têtes du côté des constructeurs de machines mobiles. Mais compte tenu des prix inhérents à cette technologie, Micron avait déclaré à l'époque s'adresser surtout au HPC (High Performance Computing).

La version 2.0 des spécifications de la mémoire HMC est attendue pour début 2014. (Source Bit-tech via le comptoir)
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Message non lupar super_newbie_pro » 17 avr. 2013, 10:21

Les futurs process chez TSMC

Le 20nm en 2014 et le 10nm en 2015-2016 pour TSMC ? hardware.fr nous faire fait un résumé ici ==> http://www.hardware.fr/news/13065/16nm- ... -tsmc.html
Source : http://www.eetimes.com/electronics-news ... UV-at-10nm
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Re: News - Technologies, procédés, découvertes, actualites

Message non lupar super_newbie_pro » 07 mai 2013, 11:02

Intel Silvermont : la nouvelle architecture des futures Atom dévoilée

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A lire : http://www.pcworld.fr/processeur/actual ... 8367,1.htm
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Message non lupar super_newbie_pro » 15 juil. 2013, 15:58

Un die refroidit à l'aide de graphène

Des chercheurs de l’université de technologie de Suède Chalmers ont publié un papier dans la revue Carbon montrant qu’il est possible d’utiliser des bouts de graphène pour refroidir les parties les plus chaudes d’un die pour améliorer ses performances.

Ce n’est pas la première fois que les effets thermoélectriques du graphène sont étudiés (cf. « Comportement du graphène - Futur : la course aux transistors en graphène »), mais c’est la première fois que des chercheurs montrent qu’il serait un système de refroidissement intéressant pour des puces en silicium. Selon eux, apposer une couche de graphène sur un die permet de réduire sa température jusqu’à 13 °C au mieux. Source : http://www.tomshardware.fr/articles/gra ... 38111.html
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